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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key IRF640PBF-ND
Quantità disponibile 1.222
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

IRF640PBF

Descrizione MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 11 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati IRF640, SiHF640
Packaging Information
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblaggio/origine PCN SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014
Modelli EDA / CAD ? Scarica da Accelerated Designs
Pagina catalogo 1444 (CH2011-IT PDF)
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categoria

Dispositivi a semiconduttore discreti

Famiglia

Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie -
Imballaggio ? Sfuso ?
Stato componente Attivo
Tipo FET MOSFET canale N, metallo-ossido
Funzione FET Standard
Tensione drain-source (Vdss) 200V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 18A (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 180 mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (max) a Id 4V a 250µA
Carica di gate (Qg) - Vgs 70nC a 10V
Capacità ingresso (Ciss) a Vds 1300pF a 25V
Potenza max 125W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore / involucro TO-220-3
Contenitore del fornitore TO-220AB
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 50
Altri nominativi *IRF640PBF

12:58:02 12/5/2016

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 1,41000 1,41
10 1,26600 12,66
25 1,20160 30,04
100 0,98700 98,70
250 0,92256 230,64
500 0,81530 407,65
1.000 0,64367 643,67
2.500 0,60076 1.501,89
5.000 0,57072 2.853,58

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