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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key IRF640PBF-ND
Quantità disponibile 3.987
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

IRF640PBF

Descrizione MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Descrizione estesa N-Channel 200V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 11 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati IRF640, SiHF640
Packaging Information
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblaggio/origine PCN SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014
Modelli EDA / CAD ? Scarica da Ultra Librarian
Pagina catalogo 1444 (CH2011-IT PDF)
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie -
Imballaggio ? Sfuso ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 200V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 18 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V
Vgs(th) (max) a Id 4 V a 250 µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 70 nC a 10 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 1300 pF a 25 V
Vgs (max) ±20V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 125 W (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 180 mOhm a 11 A, 10 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore del fornitore TO-220AB
Contenitore / involucro TO-220-3
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 50
Altri nominativi *IRF640PBF

19:39:06 2/25/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 1,40000 1,40
10 1,25300 12,53
25 1,18960 29,74
100 0,97700 97,70
250 0,91328 228,32
500 0,80710 403,55
1.000 0,63718 637,18
2.500 0,59470 1.486,76
5.000 0,56497 2.824,84

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