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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key IRLD024PBF-ND
Quantità disponibile 9.234
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

IRLD024PBF

Descrizione MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
Descrizione estesa N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 11 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati IRLD024
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelli EDA / CAD ? Scarica da Ultra Librarian
Pagina catalogo 1445 (CH2011-IT PDF)
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Categorie
Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie -
Imballaggio ? Tubo ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 2,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 5V
Vgs(th) (max) a Id 2 V a 250 µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 18 nC a 5 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 870 pF a 25 V
Vgs (max) ±10 V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 1,3 W (Ta)
Rds On (max) - Id, Vgs 100 mOhm a 1,5 A, 5 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore del fornitore 4 DIP, Hexdip, HVMDIP
Contenitore / involucro 4-DIP (0,300", 7,62 mm)
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 100
Altri nominativi *IRLD024PBF

04:58:24 3/29/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 0,93000 0,93
10 0,83900 8,39
25 0,79640 19,91
100 0,65430 65,43
250 0,61164 152,91
500 0,54050 270,25
1.000 0,42672 426,72
2.500 0,39827 995,67
5.000 0,37835 1.891,76

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