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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key IRLD024PBF-ND
Quantità disponibile 14.648
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

IRLD024PBF

Descrizione MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
Descrizione estesa N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 11 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati IRLD024
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelli EDA / CAD ? Scarica da Accelerated Designs
Pagina catalogo 1445 (CH2011-IT PDF)
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Categorie
Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie -
Imballaggio ? Tubo ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 2,5A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 5V
Vgs(th) (max) a Id 2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 18nC a 5V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 870pF a 25V
Vgs (max) ±10V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 1,3W (Ta)
Rds On (max) - Id, Vgs 100 mOhm a 1,5A, 5V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore del fornitore 4 DIP, Hexdip, HVMDIP
Contenitore / involucro 4-DIP (0,300", 7,62 mm)
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 100
Altri nominativi *IRLD024PBF

19:04:20 1/16/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 0,91000 0,91
10 0,81300 8,13
25 0,77120 19,28
100 0,63360 63,36
250 0,59224 148,06
500 0,52338 261,69
1.000 0,41319 413,19
2.500 0,38565 964,12
5.000 0,36637 1.831,83

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