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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key IRLD120PBF-ND
Quantità disponibile 2.611
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

IRLD120PBF

Descrizione MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 11 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati IRLD120
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelli EDA / CAD ? Scarica da Accelerated Designs
Pagina catalogo 1445 (CH2011-IT PDF)
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categoria

Dispositivi a semiconduttore discreti

Famiglia

Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie -
Imballaggio ? Tubo ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 100V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 1,3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds On (max) - Id, Vgs 270 mOhm a 780mA, 5V
Vgs(th) (max) a Id 2V a 250µA
Carica di gate (Qg) - Vgs 12nC a 5V
Capacità ingresso (Ciss) a Vds 490pF a 25V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) *
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore / involucro 4-DIP (0,300", 7,62 mm)
Contenitore del fornitore 4 DIP, Hexdip, HVMDIP
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 100
Altri nominativi *IRLD120PBF

22:50:52 12/10/2016

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 0,68000 0,68
10 0,59400 5,94
25 0,55840 13,96
100 0,45570 45,57
250 0,42332 105,83
500 0,36026 180,13
1.000 0,28821 288,21
2.500 0,26119 652,98
5.000 0,24318 1.215,89

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