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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key IRLD120PBF-ND
Quantità disponibile 5.350
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

IRLD120PBF

Descrizione MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Descrizione estesa N-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 11 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati IRLD120
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelli EDA / CAD ? Scarica da Ultra Librarian
Pagina catalogo 1445 (CH2011-IT PDF)
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Categorie
Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie -
Imballaggio ? Tubo ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 100V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 1,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 5V
Vgs(th) (max) a Id 2 V a 250 µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC a 5 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 490 pF a 25 V
Vgs (max) ±10V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 1,3 W (Ta)
Rds On (max) - Id, Vgs 270 mOhm a 780 mA, 5 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore del fornitore 4 DIP, Hexdip, HVMDIP
Contenitore / involucro 4-DIP (0,300", 7,62 mm)
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 100
Altri nominativi *IRLD120PBF

04:09:15 2/26/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 0,67000 0,67
10 0,58800 5,88
25 0,55280 13,82
100 0,45110 45,11
250 0,41904 104,76
500 0,35664 178,32
1.000 0,28531 285,31
2.500 0,25856 646,41
5.000 0,24073 1.203,64

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