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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key SI1013X-T1-GE3CT-ND
Quantità disponibile 33.577
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

SI1013X-T1-GE3

Descrizione MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Descrizione estesa P-Channel 20V 350mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 12 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati Si1013R,X
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Pagina catalogo 1580 (CH2011-IT PDF)
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Categorie
Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale P
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 20V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 350 mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max) a Id 450 mV a 250 µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs 1,5 nC a 4,5 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds -
Vgs (max) ±6V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 250 mW (Ta)
Rds On (max) - Id, Vgs 1,2 Ohm a 350 mA, 4,5 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore SC-89-3
Contenitore / involucro SC-89, SOT-490
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 1
Altri nominativi SI1013X-T1-GE3CT

15:09:40 2/19/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 0,44000 0,44
10 0,35300 3,53
25 0,32280 8,07
100 0,24000 24,00
250 0,21752 54,38
500 0,18002 90,01
1.000 0,13501 135,01

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
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