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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key SI1050X-T1-GE3CT-ND
Quantità disponibile 2.955
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

SI1050X-T1-GE3

Descrizione MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
Descrizione estesa N-Channel 8V 1.34A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 16 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati SI1050X
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 8V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 1,34 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V
Vgs(th) (max) a Id 900mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 11,6nC a 5V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 585pF a 4V
Vgs (max) ±5V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 236 mW (Ta)
Rds On (max) - Id, Vgs 86 mOhm a 1,34A, 4,5V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore SC-89-6
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 1
Altri nominativi SI1050X-T1-GE3CT

16:21:42 1/21/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 0,48000 0,48
10 0,40800 4,08
25 0,38040 9,51
100 0,30440 30,44
250 0,28276 70,69
500 0,23924 119,62
1.000 0,18487 184,87

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
  • Nastrati in bobina (nib) ? : SI1050X-T1-GE3TR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 3.000
  • Quantità disponibile: 0
  • Prezzo unitario: 0,16365
  • Digi-Reel® ? : SI1050X-T1-GE3DKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 2.955 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
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