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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key SI2318CDS-T1-GE3CT-ND
Quantità disponibile 33.247
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

SI2318CDS-T1-GE3

Descrizione MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 15 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati Si2318CDS
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categoria

Dispositivi a semiconduttore discreti

Famiglia

Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 40V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 5,6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds On (max) - Id, Vgs 42 mOhm a 4,3A, 10V
Vgs(th) (max) a Id 2,5V a 250µA
Carica di gate (Qg) - Vgs 9nC a 10V
Capacità ingresso (Ciss) a Vds 340pF a 20V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) *
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 1
Altri nominativi SI2318CDS-T1-GE3CT

01:03:35 12/11/2016

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 0,42000 0,42
10 0,34200 3,42
25 0,31320 7,83
100 0,23310 23,31
250 0,21128 52,82
500 0,17486 87,43
1.000 0,13114 131,14

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
  • Nastrati in bobina (nib) ? : SI2318CDS-T1-GE3TR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 3.000
  • Quantità disponibile: 30.000 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: 0,11671
  • Digi-Reel® ? : SI2318CDS-T1-GE3DKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 33.247 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
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