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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key SI3440DV-T1-E3CT-ND
Quantità disponibile
Fabbricante

Codice produttore

SI3440DV-T1-E3

Descrizione MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
Descrizione estesa N-Channel 150V 1.2A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 19 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati SI3440DV
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Pagina catalogo 1577 (CH2011-IT PDF)
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 150V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 1,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V
Vgs(th) (max) a Id 4 V a 250 µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 8 nC a 10 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds -
Vgs (max) ±20 V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 1,14 W (Ta)
Rds On (max) - Id, Vgs 375 mOhm a 1,5 A, 10 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore 6-TSOP
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 1
Altri nominativi SI3440DV-T1-E3CT

19:41:13 3/30/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 1,21000 1,21
10 1,08100 10,81
25 1,02640 25,66
100 0,84300 84,30
250 0,78800 197,00
500 0,69638 348,19
1.000 0,54978 549,78

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
  • Nastrati in bobina (nib) ? : SI3440DV-T1-E3TR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 3.000
  • Quantità disponibile: 0
  • Prezzo unitario: 0,49818
  • Digi-Reel® ? : SI3440DV-T1-E3DKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 0
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
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