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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key SI3499DV-T1-GE3CT-ND
Quantità disponibile 2.560
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

SI3499DV-T1-GE3

Descrizione MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
Descrizione estesa P-Channel 8V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 15 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati SI3499DV
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorie
Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale P
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 8V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 5,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V
Vgs(th) (max) a Id 750 mV a 250 µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 42 nC a 4,5 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds -
Vgs (max) ±5V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 1,1 W (Ta)
Rds On (max) - Id, Vgs 23 mOhm a 7 A, 4,5 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore 6-TSOP
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 1
Altri nominativi SI3499DV-T1-GE3CT

12:07:41 2/24/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 0,92000 0,92
10 0,82300 8,23
25 0,78080 19,52
100 0,64140 64,14
250 0,59956 149,89
500 0,52986 264,93
1.000 0,41830 418,30

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
  • Nastrati in bobina (nib) ? : SI3499DV-T1-GE3TR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 3.000
  • Quantità disponibile: 0
  • Prezzo unitario: 0,37904
  • Digi-Reel® ? : SI3499DV-T1-GE3DKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 2.560 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
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