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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key SI5403DC-T1-GE3CT-ND
Quantità disponibile
Fabbricante

Codice produttore

SI5403DC-T1-GE3

Descrizione MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Descrizione estesa P-Channel 30V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 15 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati SI5403DC
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Pagina catalogo 1580 (CH2011-IT PDF)
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Categorie
Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale P
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 6 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max) a Id 3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 42nC a 10V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 1340pF a 15V
Vgs (max) ±20V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 2,5 W (Ta), 6,3 W (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 30 mOhm a 7,2A, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore 1206-8 ChipFET™
Contenitore / involucro 8-SMD, conduttore piatto
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 1
Altri nominativi SI5403DC-T1-GE3CT

05:28:00 1/24/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 0,98000 0,98
10 0,87500 8,75
25 0,83040 20,76
100 0,68210 68,21
250 0,63764 159,41
500 0,56350 281,75
1.000 0,44487 444,87

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
  • Nastrati in bobina (nib) ? : SI5403DC-T1-GE3TR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 3.000
  • Quantità disponibile: 0
  • Prezzo unitario: 0,40312
  • Digi-Reel® ? : SI5403DC-T1-GE3DKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 0
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
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