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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key SI7119DN-T1-GE3CT-ND
Quantità disponibile 12.000
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

SI7119DN-T1-GE3

Descrizione MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
Descrizione estesa P-Channel 200V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 15 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati SI7119DN
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorie
Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale P
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 200V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 3,8A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V
Vgs(th) (max) a Id 4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 25nC a 10V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 666pF a 50V
Vgs (max) ±20V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 1,05 Ohm a 1A, 10V
Temperatura di funzionamento -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8
Contenitore / involucro PowerPAK® 1212-8
 
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Altri nominativi SI7119DN-T1-GE3CT

16:28:19 1/18/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 0,95000 0,95
10 0,84600 8,46
25 0,80280 20,07
100 0,65940 65,94
250 0,61640 154,10
500 0,54472 272,36
1.000 0,43004 430,04

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
  • Nastrati in bobina (nib) ? : SI7119DN-T1-GE3TR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 3.000
  • Quantità disponibile: 9.000 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: 0,38968
  • Digi-Reel® ? : SI7119DN-T1-GE3DKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 12.000 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
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