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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key SI7415DN-T1-GE3CT-ND
Quantità disponibile 13.501
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

SI7415DN-T1-GE3

Descrizione MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 15 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati Si7415DN
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Pagina catalogo 1580 (CH2011-IT PDF)
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categoria

Dispositivi a semiconduttore discreti

Famiglia

Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale P
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 3,6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds On (max) - Id, Vgs 65 mOhm a 5,7A, 10V
Vgs(th) (max) a Id 3V a 250µA
Carica di gate (Qg) - Vgs 25nC a 10V
Capacità ingresso (Ciss) a Vds -
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) *
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore / involucro PowerPAK® 1212-8
Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8
 
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Pacco Standard ? 1
Altri nominativi SI7415DN-T1-GE3CT

21:26:09 12/9/2016

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 1,23000 1,23
10 1,09800 10,98
25 1,04160 26,04
100 0,85570 85,57
250 0,79988 199,97
500 0,70690 353,45
1.000 0,55807 558,07

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
  • Nastrati in bobina (nib) ? : SI7415DN-T1-GE3TR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 3.000
  • Quantità disponibile: 12.000 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: 0,50569
  • Digi-Reel® ? : SI7415DN-T1-GE3DKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 13.501 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
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