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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key SI7460DP-T1-GE3CT-ND
Quantità disponibile 15.083
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

SI7460DP-T1-GE3

Descrizione MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Descrizione estesa N-Channel 60V 11A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 15 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati SI7460DP
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Pagina catalogo 1579 (CH2011-IT PDF)
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 11 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max) a Id 3 V a 250 µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 100 nC a 10 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds -
Vgs (max) ±20 V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 1,9 W (Ta)
Rds On (max) - Id, Vgs 9,6 mOhm a 18 A, 10 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 1
Altri nominativi SI7460DP-T1-GE3CT

13:31:02 3/30/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 1,59000 1,59
10 1,42500 14,25
25 1,34520 33,63
100 1,14600 114,60
250 1,07608 269,02
500 0,94156 470,78
1.000 0,78015 780,15

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
  • Nastrati in bobina (nib) ? : SI7460DP-T1-GE3TR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 3.000
  • Quantità disponibile: 15.000 - Immediatamente
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  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 15.083 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
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