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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key SI7478DP-T1-E3CT-ND
Quantità disponibile 12.889
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

SI7478DP-T1-E3

Descrizione MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 16 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati Si7478DP
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Pagina catalogo 1579 (CH2011-IT PDF)
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categoria

Dispositivi a semiconduttore discreti

Famiglia

Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 15A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds On (max) - Id, Vgs 7,5 mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (max) a Id 3V a 250µA
Carica di gate (Qg) - Vgs 160nC a 10V
Capacità ingresso (Ciss) a Vds -
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) *
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8
Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 1
Altri nominativi SI7478DP-T1-E3CT

23:28:33 12/9/2016

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 1,95000 1,95
10 1,75600 17,56
25 1,65600 41,40
100 1,41110 141,11
250 1,32500 331,25
500 1,15936 579,68
1.000 0,96061 960,61

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
  • Nastrati in bobina (nib) ? : SI7478DP-T1-E3TR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 3.000
  • Quantità disponibile: 12.000 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: 0,86831
  • Digi-Reel® ? : SI7478DP-T1-E3DKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 12.889 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
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