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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key SI7850DP-T1-GE3CT-ND
Quantità disponibile 2.511
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

SI7850DP-T1-GE3

Descrizione MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Descrizione estesa N-Channel 60V 6.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 15 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati SI7850DP
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 6,2A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max) a Id 3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 27nC a 10V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds -
Vgs (max) ±20V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 1,8 W (Ta)
Rds On (max) - Id, Vgs 22 mOhm a 10,3A, 10V
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 1
Altri nominativi SI7850DP-T1-GE3CT

20:07:39 1/19/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 1,56000 1,56
10 1,39700 13,97
25 1,32600 33,15
100 1,08920 108,92
250 1,01812 254,53
500 0,89972 449,86
1.000 0,71031 710,31

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
  • Nastrati in bobina (nib) ? : SI7850DP-T1-GE3TR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 3.000
  • Quantità disponibile: 0
  • Prezzo unitario: 0,64364
  • Digi-Reel® ? : SI7850DP-T1-GE3DKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 2.511 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
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