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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key SIHB33N60E-GE3-ND
Quantità disponibile 4.340
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

SIHB33N60E-GE3

Descrizione MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Descrizione estesa N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 19 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati SiHB33N60E
Moduli di addestramento sul prodotto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblaggio/origine PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie -
Imballaggio ? Sfuso ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 600V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 33 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V
Vgs(th) (max) a Id 4 V a 250 µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 150 nC a 10 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 3508 pF a 100 V
Vgs (max) ±30 V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 278 W (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 99 mOhm a 16,5 A, 10 V
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore D2PAK
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 1.000
Altri nominativi SIHB33N60EGE3

05:47:58 3/23/2017

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 5,83000 5,83
10 5,23700 52,37
25 4,95120 123,78
100 4,29100 429,10
250 4,07088 1.017,72
500 3,65278 1.826,39
1.000 3,08065 3.080,65

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