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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key SIHB33N60E-GE3-ND
Quantità disponibile 1.618
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

SIHB33N60E-GE3

Descrizione MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 19 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati SiHB33N60E
Moduli di addestramento sul prodotto High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblaggio/origine PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categoria

Dispositivi a semiconduttore discreti

Famiglia

Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie -
Imballaggio ? Sfuso ?
Stato componente Attivo
Tipo FET MOSFET canale N, metallo-ossido
Funzione FET Standard
Tensione drain-source (Vdss) 600V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 33A (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 99 mOhm a 16,5A, 10V
Vgs(th) (max) a Id 4V a 250µA
Carica di gate (Qg) - Vgs 150nC a 10V
Capacità ingresso (Ciss) a Vds 3508pF a 100V
Potenza max 278W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 cavi+linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore D²PAK
 
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Altre risorse
Pacco Standard ? 1.000
Altri nominativi SIHB33N60EGE3

14:24:25 12/7/2016

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 5,55000 5,55
10 4,98300 49,83
25 4,71080 117,77
100 4,08270 408,27
250 3,87332 968,33
500 3,47552 1.737,76
1.000 2,93115 2.931,15
2.500 2,78460 6.961,49

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