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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key SIR876ADP-T1-GE3CT-ND
Quantità disponibile 6.626
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

SIR876ADP-T1-GE3

Descrizione MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 15 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati SIR876ADP
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblaggio/origine PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categoria

Dispositivi a semiconduttore discreti

Famiglia

Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET MOSFET canale N, metallo-ossido
Funzione FET Standard
Tensione drain-source (Vdss) 100V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 40A (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 10,8 mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (max) a Id 2,8V a 250µA
Carica di gate (Qg) - Vgs 49nC a 10V
Capacità ingresso (Ciss) a Vds 1630pF a 50V
Potenza max 62,5W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8
Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
 
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Pacco Standard ? 1
Altri nominativi SIR876ADP-T1-GE3CT

18:53:04 12/2/2016

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 1,55000 1,55
10 1,39000 13,90
25 1,31120 32,78
100 1,11730 111,73
250 1,04912 262,28
500 0,91798 458,99
1.000 0,76060 760,60

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
  • Nastrati in bobina (nib) ? : SIR876ADP-T1-GE3TR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 3.000
  • Quantità disponibile: 6.000 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: 0,68752
  • Digi-Reel® ? : SIR876ADP-T1-GE3DKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 6.626 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
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