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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key SIS892ADN-T1-GE3CT-ND
Quantità disponibile 14.899
Spedizione immediata
Fabbricante

Codice produttore

SIS892ADN-T1-GE3

Descrizione MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Tempi di consegna standard del produttore 15 settimane
Documenti e risorse multimediali
Schede dati SiS892ADN
File video MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblaggio/origine PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Attributi del prodotto Seleziona tutto
Categoria

Dispositivi a semiconduttore discreti

Famiglia

Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Fabbricante

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET MOSFET canale N, metallo-ossido
Funzione FET Standard
Tensione drain-source (Vdss) 100V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 28A (Tc)
Rds On (max) - Id, Vgs 33 mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (max) a Id 3V a 250µA
Carica di gate (Qg) - Vgs 19,5nC a 10V
Capacità ingresso (Ciss) a Vds 550pF a 50V
Potenza max 52W
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore / involucro PowerPAK® 1212-8
Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8
 
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Pacco Standard ? 1
Altri nominativi SIS892ADN-T1-GE3CT

16:31:25 12/7/2016

Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 0,99000 0,99
10 0,88800 8,88
25 0,84320 21,08
100 0,69260 69,26
250 0,64740 161,85
500 0,57216 286,08
1.000 0,45170 451,70

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Confezioni alternative | questo componente e' reperibile anche nelle seguenti confezioni
  • Nastrati in bobina (nib) ? : SIS892ADN-T1-GE3TR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 3.000
  • Quantità disponibile: 12.000 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: 0,40931
  • Digi-Reel® ? : SIS892ADN-T1-GE3DKR-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1
  • Quantità disponibile: 14.899 - Immediatamente
  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
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