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Hersteller Serie Status der Komponente IGBT-Typ Konfiguration Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) Strom - Kollektor (Ic) (max.) Leistung - max. Vce(ein) (max) @ Vge, Ic Strom - Kollektorrest (Ic) (max.) Eingangskapazität (Cies) bei Vce Eingabe NTC-Thermistor Betriebstemperatur Montagetyp Gehäuse / Hülle Gehäusetyp vom Lieferanten
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Serie Status der Komponente IGBT-Typ Konfiguration Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) Strom - Kollektor (Ic) (max.) Leistung - max. Vce(ein) (max) @ Vge, Ic Strom - Kollektorrest (Ic) (max.) Eingangskapazität (Cies) bei Vce Eingabe NTC-Thermistor Betriebstemperatur Montagetyp Gehäuse / Hülle Gehäusetyp vom Lieferanten
   
IXXN110N65B4H1 Datasheet IXXN110N65B4H1 - IXYS IXXN110N65B4H1-ND IGBT 650V 215A 750W SOT227B 202 - Sofort
21,25000 1 GenX4™, XPT™ Aktiv PT Einzeln 650 V 215 A 750 W 2,1 V @ 15 V, 110 A 50 µA 3,65nF @ 25V Standard Nein -55°C bis 175°C (TJ) Chassisbefestigung SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
IXGN320N60A3 Datasheet IXGN320N60A3 - IXYS IXGN320N60A3-ND IGBT 600V SOT-227B 159 - Sofort
26,23000 1 GenX3™ Aktiv PT Einzeln 600 V 320 A 735 W 1,25 V @ 15 V, 100 A 150 µA 18nF @ 25V Standard Nein -55°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
IXDN55N120D1 Datasheet IXDN55N120D1 - IXYS IXDN55N120D1-ND IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B 428 - Sofort
28,66000 1
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Aktiv NPT Einzeln 1200 V 100 A 450 W 2,8 V @ 15 V, 55 A 3,8 mA 3,3nF @ 25V Standard Nein -40°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
APT75GP120JDQ3 Datasheet APT75GP120JDQ3 - Microsemi Corporation APT75GP120JDQ3-ND IGBT 1200V 128A 543W SOT227 785 - Sofort
41,26000 1 POWER MOS 7® Aktiv PT Einzeln 1200 V 128 A 543 W 3,9 V @ 15 V, 75 A 1,25 mA 7,04nF @ 25V Standard Nein -55°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung ISOTOP ISOTOP®
MG12150S-BN2MM Datasheet MG12150S-BN2MM - Littelfuse Inc. F6498-ND IGBT 1200V 200A 625W PKG S 32 - Sofort
84,52000 1
-
Aktiv Trench Feldstopp Halbbrücke 1200 V 200 A 625 W 1,7 V @ 15 V, 150 A (Typ) 1 mA 10,5nF @ 25V Standard Nein -40°C bis 125°C (TJ) Chassisbefestigung S-3 Modul S3
APTGT600A60G Datasheet APTGT600A60G - Microsemi Corporation APTGT600A60G-ND POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 155 - Sofort
158,83000 1
-
Aktiv Trench Feldstopp Halbbrücke 600 V 700 A 2300 W 1,8 V @ 15 V, 600 A 750 µA 49nF @ 25V Standard Nein -40°C bis 175°C (TJ) Chassisbefestigung SP6 SP6
APTGT600U170D4G Datasheet APTGT600U170D4G - Microsemi Corporation APTGT600U170D4G-ND IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4 45 - Sofort
164,48000 1
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Aktiv Trench Feldstopp Einzeln 1700 V 1100 A 2900 W 2,4 V @ 15 V, 600 A 1 mA 51nF @ 25V Standard Nein -40°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung D4 D4
STGE200NB60S Datasheet STGE200NB60S - STMicroelectronics 497-6731-5-ND IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP 201 - Sofort
26,10000 1 PowerMESH™ Aktiv
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Einzeln 600 V 200 A 600 W 1,6 V @ 15 V, 100 A 500 µA 1,56nF @ 25V Standard Nein -55°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung ISOTOP ISOTOP
APT150GN120JDQ4 Datasheet APT150GN120JDQ4 - Microsemi Corporation APT150GN120JDQ4-ND IGBT 1200V 215A 625W SOT227 106 - Sofort
49,18000 1
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Aktiv Trench Feldstopp Einzeln 1200 V 215 A 625 W 2,1 V @ 15 V, 150 A 300 µA 9,5nF @ 25V Standard Nein -55°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP®
VS-50MT060WHTAPBF Datasheet VS-50MT060WHTAPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-50MT060WHTAPBF-ND IGBT 600V 114A 658W MTP 136 - Sofort
53,92000 1
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Aktiv
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Halbbrücke 600 V 114 A 658 W 3,2 V @ 15 V, 100 A 400 µA 7,1nF @ 30V Standard Nein -40°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung 12-MTP Modul MTP
MG1275S-BA1MM Datasheet MG1275S-BA1MM - Littelfuse Inc. F6495-ND IGBT 1200V 105A 630W PKG S 111 - Sofort
60,95000 1
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Aktiv
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Halbbrücke 1200 V 105 A 630 W 1,8 V @ 15 V, 75 A (Typ) 500 µA 5,52nF @ 25V Standard Nein -40°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung S-3 Modul S3
MG06150S-BN4MM Datasheet MG06150S-BN4MM - Littelfuse Inc. F6492-ND IGBT 600V 225A 500W PKG S 95 - Sofort
77,80000 1
-
Aktiv
-
Halbbrücke 600 V 225 A 500 W 1,45 V @ 15 V, 150 A (Typ) 1 mA 9,3nF @ 25V Standard Nein -40°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung S-3 Modul S3
APT75GN120JDQ3 Datasheet APT75GN120JDQ3 - Microsemi Corporation APT75GN120JDQ3-ND IGBT 1200V 124A 379W SOT227 119 - Sofort
30,65000 1
-
Aktiv Trench Feldstopp Einzeln 1200 V 124 A 379 W 2,1 V @ 15 V, 75 A 200 µA 4,8nF @ 25V Standard Nein -55°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung ISOTOP ISOTOP®
APT75GP120J Datasheet APT75GP120J - Microsemi Corporation APT75GP120J-ND IGBT 1200V 128A 543W SOT227 135 - Sofort
38,38000 1 POWER MOS 7® Aktiv PT Einzeln 1200 V 128 A 543 W 3,9 V @ 15 V, 75 A 1 mA 7,04nF @ 25V Standard Nein -55°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung ISOTOP ISOTOP®
APT100GT120JRDQ4 Datasheet APT100GT120JRDQ4 - Microsemi Corporation APT100GT120JRDQ4-ND IGBT 1200V 123A 570W SOT227 178 - Sofort
48,55000 1 Thunderbolt IGBT® Aktiv NPT Einzeln 1200 V 123 A 570 W 3,7 V @ 15 V, 100 A 200 µA 7,85nF @ 25V Standard Nein -55°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung ISOTOP ISOTOP®
APTGFQ25H120T2G Datasheet APTGFQ25H120T2G - Microsemi Corporation APTGFQ25H120T2G-ND IGBT 1200V 40A 227W MODULE 159 - Sofort
54,95000
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Nicht für Neukonstruktionen NPT und Fieldstop Vollbrücke 1200 V 40 A 227 W 2,1 V @ 15 V, 25 A 250 µA 2,02 nF @ 25 V Standard Ja
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Durchführungsloch SP2 SP2
VS-GA250SA60S Datasheet VS-GA250SA60S - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GA250SA60SGI-ND IGBT 600V 400A SOT227 123 - Sofort
73,52000 1
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Aktiv
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Einzeln 600 V 400 A 961 W 1,66 V @ 15 V, 200 A 1 mA 16,25nF @ 30V Standard Nein -40°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung SOT-227-4 SOT-227
APT60GF120JRDQ3 Datasheet APT60GF120JRDQ3 - Microsemi Corporation APT60GF120JRDQ3-ND IGBT 1200V 149A 625W SOT227 31 - Sofort
76,78000 1
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Aktiv NPT Einzeln 1200 V 149 A 625 W 3 V @ 15 V, 100 A 350 µA 7,08nF @ 25V Standard Nein -55°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung ISOTOP ISOTOP®
MG06200S-BN4MM Datasheet MG06200S-BN4MM - Littelfuse Inc. F6493-ND IGBT 600V 300A 600W PKG S 89 - Sofort
87,98000 1
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Aktiv
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Halbbrücke 600 V 300 A 600 W 1,45 V @ 15 V, 200 A (Typ) 1 mA 13nF @ 25V Standard Nein -40°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung S-3 Modul S3
MG12150D-BA1MM Datasheet MG12150D-BA1MM - Littelfuse Inc. F6480-ND IGBT 1200V 210A 1100W PKG D 53 - Sofort
109,32000 1
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Aktiv
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Halbbrücke 1200 V 210 A 1100 W 1,8 V @ 15 V, 150 A (Typ) 1 mA 11nF @ 25V Standard Nein -40°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung Modul D3
MG12200D-BA1MM Datasheet MG12200D-BA1MM - Littelfuse Inc. F6481-ND IGBT 1200V 300A 1400W PKG D 31 - Sofort
116,40000 1
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Aktiv
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Halbbrücke 1200 V 300 A 1400 W 1,8 V @ 15 V, 200 A (Typ) 1 mA 14,9nF @ 25V Standard Nein -40°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung Modul D3
APTGL475A120D3G Datasheet APTGL475A120D3G - Microsemi Corporation APTGL475A120D3G-ND POWER MOD IGBT4 PHASE LEG D3 32 - Sofort
166,43000 1
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Aktiv Trench Feldstopp Halbbrücke 1200 V 610 A 2080 W 2,2 V @ 15 V, 400 A 5 mA 24,6nF @ 25V Standard Nein -40°C bis 175°C (TJ) Chassisbefestigung D-3 Modul D3
APT85GR120J Datasheet APT85GR120J - Microsemi Corporation APT85GR120J-ND IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP 116 - Sofort
31,28000 1
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Aktiv NPT Einzeln 1200 V 116 A 543 W 3,2 V @ 15 V, 85 A 1 mA 8,4nF @ 25V Standard Nein -55°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung SOT-227-4, miniBLOC SOT-227
APT200GN60J Datasheet APT200GN60J - Microsemi Corporation APT200GN60J-ND IGBT 600V 283A 682W SOT227 349 - Sofort
31,59000 1
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Aktiv Trench Feldstopp Einzeln 600 V 283 A 682 W 1,85 V @ 15 V, 200 A 25 µA 14,1nF @ 25V Standard Nein -55°C bis 175°C (TJ) Chassisbefestigung ISOTOP ISOTOP®
APT100GT120JU2 Datasheet APT100GT120JU2 - Microsemi Corporation APT100GT120JU2-ND IGBT 1200V 140A 480W SOT227 515 - Sofort
31,76000 1
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Aktiv Trench Feldstopp Einzeln 1200 V 140 A 480 W 2,1 V @ 15 V, 100 A 5 mA 7,2nF @ 25V Standard Nein -55°C bis 150°C (TJ) Chassisbefestigung ISOTOP SOT-227
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00:22:46 2/20/2017