Indice prodotti > Dispositivi a semiconduttore discreti > Transistor - FET, MOSFET - RF

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Fabbricante Imballaggio Serie Stato componente Tipo di transistore Frequenza Guadagno Tensione - Prova Corrente nominale Cifra di rumore Corrente - Test Alimentazione - uscita Tensione, nominale Contenitore / involucro Contenitore del fornitore
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Imballaggio Serie Stato componente Tipo di transistore Frequenza Guadagno Tensione - Prova Corrente nominale Cifra di rumore Corrente - Test Alimentazione - uscita Tensione, nominale Contenitore / involucro Contenitore del fornitore
   
BF862,215 Datasheet BF862,215 - NXP USA Inc. 568-1968-2-ND JFET N-CHAN 20V SOT-23 3.000 - Immediatamente
0,17852 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo JFET a canale N
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25 mA
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20 V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236AB (SOT23)
BF862,235 Datasheet BF862,235 - NXP USA Inc. BF862,235-ND JFET N-CH 20V 25MA SOT23 0
Tempi di consegna standard 8 settimane
0,15549 10.000
Non in stock
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Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo JFET a canale N
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25 mA
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20 V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236AB (SOT23)
BF862,215 Datasheet BF862,215 - NXP USA Inc. 568-1968-1-ND JFET N-CHAN 20V SOT-23 4.664 - Immediatamente
0,52000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo JFET a canale N
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25 mA
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20 V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236AB (SOT23)
BF862,215 Datasheet BF862,215 - NXP USA Inc. 568-1968-6-ND JFET N-CHAN 20V SOT-23 4.664 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo JFET a canale N
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25 mA
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20 V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236AB (SOT23)
ATF-35143-TR1G Datasheet ATF-35143-TR1G - Broadcom Limited 516-1784-2-ND FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 3.000 - Immediatamente
0,72690 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
-
Attivo pHEMT FET 2 GHz 18dB 2 V 80 mA 0,4dB 15 mA 10 dBm 5,5 V SC-82A, SOT-343 SOT-343
ATF-35143-TR1G Datasheet ATF-35143-TR1G - Broadcom Limited 516-1784-1-ND FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 15.721 - Immediatamente
1,58000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
-
Attivo pHEMT FET 2 GHz 18dB 2 V 80 mA 0,4dB 15 mA 10 dBm 5,5 V SC-82A, SOT-343 SOT-343
ATF-35143-TR1G Datasheet ATF-35143-TR1G - Broadcom Limited 516-1784-6-ND FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 15.721 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
-
Attivo pHEMT FET 2 GHz 18dB 2 V 80 mA 0,4dB 15 mA 10 dBm 5,5 V SC-82A, SOT-343 SOT-343
ATF-58143-TR1G Datasheet ATF-58143-TR1G - Broadcom Limited 516-2692-2-ND FET RF 5V 2GHZ SOT-343 12.000 - Immediatamente
1,15621 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
-
Attivo pHEMT FET 2 GHz 16,5dB 3 V 100 mA 0,5dB 30 mA 19 dBm 5 V SC-82A, SOT-343 SOT-343
ATF-58143-TR1G Datasheet ATF-58143-TR1G - Broadcom Limited 516-2692-1-ND FET RF 5V 2GHZ SOT-343 13.599 - Immediatamente
2,60000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
-
Attivo pHEMT FET 2 GHz 16,5dB 3 V 100 mA 0,5dB 30 mA 19 dBm 5 V SC-82A, SOT-343 SOT-343
ATF-58143-TR1G Datasheet ATF-58143-TR1G - Broadcom Limited 516-2692-6-ND FET RF 5V 2GHZ SOT-343 13.599 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
-
Attivo pHEMT FET 2 GHz 16,5dB 3 V 100 mA 0,5dB 30 mA 19 dBm 5 V SC-82A, SOT-343 SOT-343
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-2-ND FET RF 40V 870MHZ 5.000 - Immediatamente
1,55737 2.500 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS 870 MHz 17dB 13,6 V 2 A
-
50 mA 4 W 40 V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-1-ND FET RF 40V 870MHZ 6.168 - Immediatamente
3,20000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 870 MHz 17dB 13,6 V 2 A
-
50 mA 4 W 40 V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-6-ND FET RF 40V 870MHZ 6.168 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 870 MHz 17dB 13,6 V 2 A
-
50 mA 4 W 40 V TO-243AA SOT-89
ATF-54143-TR1G Datasheet ATF-54143-TR1G - Broadcom Limited 516-1572-2-ND FET RF 5V 2GHZ SOT-343 15.000 - Immediatamente
1,91203 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
-
Attivo pHEMT FET 2 GHz 16,6dB 3 V 120 mA 0,5dB 60 mA 20,4 dBm 5 V SC-82A, SOT-343 SOT-343
ATF-54143-TR1G Datasheet ATF-54143-TR1G - Broadcom Limited 516-1572-1-ND FET RF 5V 2GHZ SOT-343 20.568 - Immediatamente
3,93000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
-
Attivo pHEMT FET 2 GHz 16,6dB 3 V 120 mA 0,5dB 60 mA 20,4 dBm 5 V SC-82A, SOT-343 SOT-343
ATF-54143-TR1G Datasheet ATF-54143-TR1G - Broadcom Limited 516-1572-6-ND FET RF 5V 2GHZ SOT-343 20.568 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
-
Attivo pHEMT FET 2 GHz 16,6dB 3 V 120 mA 0,5dB 60 mA 20,4 dBm 5 V SC-82A, SOT-343 SOT-343
ATF-531P8-TR1 Datasheet ATF-531P8-TR1 - Broadcom Limited 516-2239-2-ND FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC 3.000 - Immediatamente
2,45349 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
-
Attivo pHEMT FET 2 GHz 20dB 4 V 300 mA 0,6dB 135 mA 24,5 dBm 7 V 8-WFDFN Piazzola esposta 8-LPCC (2x2)
ATF-531P8-TR1 Datasheet ATF-531P8-TR1 - Broadcom Limited 516-2239-1-ND FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC 4.781 - Immediatamente
5,03000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
-
Attivo pHEMT FET 2 GHz 20dB 4 V 300 mA 0,6dB 135 mA 24,5 dBm 7 V 8-WFDFN Piazzola esposta 8-LPCC (2x2)
ATF-531P8-TR1 Datasheet ATF-531P8-TR1 - Broadcom Limited 516-2239-6-ND FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC 4.781 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
-
Attivo pHEMT FET 2 GHz 20dB 4 V 300 mA 0,6dB 135 mA 24,5 dBm 7 V 8-WFDFN Piazzola esposta 8-LPCC (2x2)
MRF1513NT1 Datasheet MRF1513NT1 - NXP USA Inc. MRF1513NT1TR-ND FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5 1.000 - Immediatamente
5,58460 1.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 520 MHz 15dB 12,5 V 2 A
-
50 mA 3 W 40 V PLD-1,5 PLD-1,5
MRF1513NT1 Datasheet MRF1513NT1 - NXP USA Inc. MRF1513NT1CT-ND FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5 1.125 - Immediatamente
6,87000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 520 MHz 15dB 12,5 V 2 A
-
50 mA 3 W 40 V PLD-1,5 PLD-1,5
MRF1513NT1 Datasheet MRF1513NT1 - NXP USA Inc. MRF1513NT1DKR-ND FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5 1.125 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS 520 MHz 15dB 12,5 V 2 A
-
50 mA 3 W 40 V PLD-1,5 PLD-1,5
BLP7G22-10Z Datasheet BLP7G22-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12532-2-ND RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN 1.000 - Immediatamente
9,61950 500 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14 GHz 16dB 28 V
-
-
110 mA 2 W 65 V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (5x6)
BLP7G22-10Z Datasheet BLP7G22-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12532-1-ND RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN 1.375 - Immediatamente
14,35000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14 GHz 16dB 28 V
-
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110 mA 2 W 65 V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (5x6)
BLP7G22-10Z Datasheet BLP7G22-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12532-6-ND RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN 1.375 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
-
Attivo LDMOS (doppio), sorgente comune 2,14 GHz 16dB 28 V
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110 mA 2 W 65 V 12-VDFN Piazzola esposta 12-HVSON (5x6)
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10:07:58 1/21/2017