Highspeed-PIN-Fotodiode VEMD8080 mit verbesserter Empfindlichkeit für sichtbares Licht

Das VEMD8080 von Vishay bietet schnelle Schaltzeiten und eine geringe Kapazität für eine präzise Signalerkennung

Bild der Highspeed-PIN-Fotodiode VEMD8080 von VishayDie Highspeed-PIN-Siliziumfotodiode VEMD8080 von Vishay Optoelectronics erfüllt die Anforderungen an eine zuverlässige Signalerkennung in tragbaren Geräten und medizinischen Anwendungen.

Die PIN-Fotodiode VEMD8080 bietet hohe Geschwindigkeit und hohe Empfindlichkeit mit erhöhter Empfindlichkeit für sichtbares Licht verfügt über einen rechteckigen 4,8 mm x 2,5 mm Footprint in einer flachen oberflächenmontierbaren Komponente (SMD), die den Fotochip mit einer 4,5 mm² empfindlichen Fläche zur Erfassung der sichtbaren und nahen Infrarotstrahlung beinhaltet.

Merkmale
  • Typische Kapazität: 47 pF
  • Strahlungsempfindlicher Bereich: 4,5 mm²
  • Rückwärtslichtstrom: 28 µA
  • Dunkelstrom: 0,2 nA
  • Spektrale Bandbreite: 350 nm bis 1100 nm
  • Winkel für halbe Empfindlichkeit: ±65°
  • Temperaturbereich: -40 °C bis +85 °C
  • Wellenlänge für höchste Empfindlichkeit: 950 nm
Anwendungen
  • Wearables
  • Medizinische Anwendungen

VEMD8080 High-Speed PIN Photodiode with Enhanced Sensitivity for Visible Light

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SENSOR PHOTODIODE 850NM 8SMDVEMD8080SENSOR PHOTODIODE 850NM 8SMD3792 - Sofort$1.82Details anzeigen
Veröffentlicht: 2018-10-25