650-V-SiC-MOSFET-Evaluierungsboard

Board von Wolfspeed ermöglicht Evaluierung von 650-V-Siliziumkarbid-MOSFET und -Schottky-Dioden

Abbildung: 650-V-SiC-MOSFET-Evaluierungsboard von WolfspeedDas Evaluierungsboard KIT-CRD-3DD065P von Wolfspeed demonstriert die Schalt- und Wärmeleistung von 650-V-SiC-MOSFET und -Schottky-Dioden. Das Board kann für den Betrieb als Abwärts- oder Aufwärtswandler im synchronen oder asynchronen Modus konfiguriert werden. Benutzer können innerhalb weniger Minuten nach dem Auspacken des Kits mit den Tests beginnen.

Merkmale
  • Entwickelt für Messung von:
    • Zeitsteuerung: TVerzögerung-Ein, TVerzögerung-Aus, TAnstieg und TAbfall
    • Überschwingen: VDS-Max und ID-Max
    • Geschwindigkeit: dI/dT und dV/dT
    • Schaltverlust: EON, EOFF und ERR
    • Wirkungsgrad im Betrieb: bis zu 2,5 kW
  • DC-Ein-/Ausgangsspannung: 450 V (max.)
  • Leistung (max.): 2,5 kW bei 100 kHz (begrenzt durch eingebaute Spule, höhere Werte sind mit anderer Spule möglich)
  • Kompatibel mit TO-247-4- und TO-247-3-SiC-MOSFET
  • Kompatibel mit TO-247- und TO-220-SiC-Schottky-Dioden
  • Dedizierte Gate-Treiber und isolierte Stromversorgungen für jeden C3M-SiC-MOSFET
  • Optimierte Standorte für Messungen des Drain-Stroms (VGS, VDS und IS) mit Oszilloskop
  • Unterstützung synchroner und asynchroner Ab- und Aufwärtswandlungstopologien
Anwendungen
  • Industrielle Hochleistungsstromversorgungen
  • Netzteile für Server und Telekommunikation
  • Ladesysteme für Elektrofahrzeuge
  • Energiespeichersysteme (ESS)
  • Solar-(PV-)Wechselrichter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
  • Batteriemanagementsysteme (BMS)

650 V SiC MOSFET Evaluation Board

BildHersteller-TeilenummerBeschreibungTypFunktionVerwendetes IC / TeilVerfügbare MengeDetails anzeigen
650V SIC FET BUCK-BOOST EVAL KITKIT-CRD-3DD065P650V SIC FET BUCK-BOOST EVAL KITLeistungsmanagementGate-Treiber3DD065P20 - SofortDetails anzeigen

Associated MOSFETs

BildHersteller-TeilenummerBeschreibungTechnologieDrain-Source-Spannung (Vdss)Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))Verfügbare MengeDetails anzeigen
650V 120M SIC MOSFETC3M0120065J650V 120M SIC MOSFETSiCFET (Siliziumkarbid)650 V15V0Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 36A TO263-7C3M0060065JSICFET N-CH 650V 36A TO263-7SiCFET (Siliziumkarbid)650 V15V1352 - SofortDetails anzeigen
GEN 3 650V 25 M SIC MOSFETC3M0025065KGEN 3 650V 25 M SIC MOSFETSiCFET (Siliziumkarbid)650 V15V0Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 120A TO247-3C3M0015065DSICFET N-CH 650V 120A TO247-3SiCFET (Siliziumkarbid)650 V15V498 - SofortDetails anzeigen
650V 120M SIC MOSFETC3M0120065K650V 120M SIC MOSFETSiCFET (Siliziumkarbid)650 V15V893 - SofortDetails anzeigen
650V 120M SIC MOSFETC3M0120065D650V 120M SIC MOSFETSiCFET (Siliziumkarbid)650 V15V430 - SofortDetails anzeigen
SICFET N-CH 650V 37A TO247-3C3M0060065DSICFET N-CH 650V 37A TO247-3SiCFET (Siliziumkarbid)650 V15V1304 - SofortDetails anzeigen
GEN 3 650V 25 M SIC MOSFETC3M0025065DGEN 3 650V 25 M SIC MOSFETSiCFET (Siliziumkarbid)650 V15V743 - SofortDetails anzeigen
SICFET N-CH 650V 120A TO247-4LC3M0015065KSICFET N-CH 650V 120A TO247-4LSiCFET (Siliziumkarbid)650 V15V0Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 37A TO247-4LC3M0060065KSICFET N-CH 650V 37A TO247-4LSiCFET (Siliziumkarbid)650 V15V0Details anzeigen
GEN 3 650V 45 M SIC MOSFETC3M0045065DGEN 3 650V 45 M SIC MOSFETSiCFET (Siliziumkarbid)650 V15V742 - SofortDetails anzeigen
GEN 3 650V 49A SIC MOSFETC3M0045065KGEN 3 650V 49A SIC MOSFETSiCFET (Siliziumkarbid)650 V15V0Details anzeigen
Veröffentlicht: 2021-07-06