Name: G3R30MT12K
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3R30MT12K-ND
Price: 19.47962 CHF
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G3R30MT12K
DigiKey-Teilenr.	1242-G3R30MT12K-ND
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G3R30MT12K
Beschreibung	SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 90 A (Tc) 400W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	GeneSiC Semiconductor
Serie	G3R™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	90 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	36mOhm bei 50A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,69V bei 12mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	155 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3901 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	400W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4
Basis-Produktnummer	G3R30

Fragen und Antworten zum Produkt

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10	Fr. 16.56000	Fr. 165.60
25	Fr. 16.01600	Fr. 400.40
100	Fr. 15.21610	Fr. 1’521.61
250	Fr. 14.71204	Fr. 3’678.01
500	Fr. 14.34404	Fr. 7’172.02

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