TO-263-8
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-263-8
TO-263-7

G3R160MT12J

DigiKey-Teilenr.
1242-G3R160MT12J-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
G3R160MT12J
Beschreibung
SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 19 A (Tc) 128W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
208mOhm bei 10A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,7V bei 5mA (typisch)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
23 nC @ 15 V
Vgs (Max.)
+20V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
724 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
128W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263-7
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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