


G3R160MT12J | |
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DigiKey-Teilenr. | 1242-G3R160MT12J-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | G3R160MT12J |
Beschreibung | SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 19 A (Tc) 128W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7 |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 15V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 208mOhm bei 10A, 15V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,7V bei 5mA (typisch) | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 23 nC @ 15 V | |
Vgs (Max.) | +20V, -10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 724 pF @ 800 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 128W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-263-7 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 1’000 | Fr. 4.21602 | Fr. 4’216.02 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 4.21602 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 4.55752 |

