Name: IS20M6R3S1P
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 6500-IS20M6R3S1P-ND
Price: 6.20494 CHF
Availability: InStock

Neues Produkt

N-Kanal 200 V 172 A (Tc) 428W (Tc) Durchkontaktierung TO-220

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IS20M6R3S1P
DigiKey-Teilenr.	6500-IS20M6R3S1P-ND
Hersteller	iDEAL Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	IS20M6R3S1P
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 172A TO-220
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 172 A (Tc) 428W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,3mOhm bei 30A, 10V
Herst. iDEAL Semiconductor	Vgs(th) (max.) bei Id 4,1V bei 300µA
Serie SuperQ™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 136 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10777 pF @ 100 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 428W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 172 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3

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