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N-Kanal 100 V 53 A (Tc) 100W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP16CN10NGXKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPP16CN10NGXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP16CN10NGXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 53 A (Tc) 100W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP16CN10NGXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 61µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
48 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3220 pF @ 50 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
16,5mOhm bei 53A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (9)
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