Name: ISC012N04NM7VATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC012N04NM7VATMA1TR-ND
Price: 2.07552 CHF
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

N-Kanal 40 V 35A (Ta), 219A (Tc) 3W (Ta), 115W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ISC012N04NM7VATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC012N04NM7VATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC012N04NM7VATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC012N04NM7VATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC012N04NM7VATMA1
Beschreibung	ISC012N04NM7VATMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 35A (Ta), 219A (Tc) 3W (Ta), 115W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISC012N04NM7VATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,15mOhm bei 50A, 15V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 3,15V bei 46µA
Serie OptiMOS™ 7	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 56 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3000 pF @ 20 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 115W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 35A (Ta), 219A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V, 15V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN