
SPP04N80C3XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SPP04N80C3XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SPP04N80C3XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 4 A (Tc) 63W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SPP04N80C3XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 240µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 31 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 570 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 63W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,3Ohm bei 2,5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| AOT8N80L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 957 | 785-1434-5-ND | Fr. 1.57000 | Ähnlich |
| FQP8N80C | onsemi | 1’500 | FQP8N80CFS-ND | Fr. 3.23000 | Ähnlich |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1’718 | IRF830APBF-ND | Fr. 2.41000 | Ähnlich |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | Fr. 3.12000 | Ähnlich |
| IRFBE20PBF | Vishay Siliconix | 1’306 | IRFBE20PBF-ND | Fr. 2.66000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.79000 | Fr. 1.79 |
| 50 | Fr. 0.86840 | Fr. 43.42 |
| 100 | Fr. 0.77830 | Fr. 77.83 |
| 500 | Fr. 0.62012 | Fr. 310.06 |
| 1’000 | Fr. 0.56926 | Fr. 569.26 |
| 2’000 | Fr. 0.52650 | Fr. 1’053.00 |
| 5’000 | Fr. 0.48024 | Fr. 2’401.20 |
| 10’000 | Fr. 0.45240 | Fr. 4’524.00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.79000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 1.93499 |








