IXFP4N60P3 IXYS | Einzelne FETs, MOSFETs

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IXYS

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IXFP4N60P3
DigiKey-Teilenr.	IXFP4N60P3-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFP4N60P3
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 4 A (Tc) 114W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 6.9 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™, Polar3™	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 365 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 114W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IXFP4N60
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,2Ohm bei 2A, 10V

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
IXFP10N60P	IXYS	0	IXFP10N60P-ND	Fr. 2.05407	Vom Hersteller empfohlen

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IXFP4N60P3