GAN063-650WSAQ ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 284
Stückpreis : Fr. 5’830.00000
Datenblatt
GAN041-650WSBQ
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
GAN041-650WSBQ
Nexperia cascode GaN FETs

GAN063-650WSAQ

DigiKey-Teilenr.
1727-GAN063-650WSAQ-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
GAN063-650WSAQ
Beschreibung
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 34,5 A (Tc) 143W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
GAN063-650WSAQ Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
60mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1000 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
143W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Obsolet
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