Name: FDC658AP
Brand: onsemi
SKU: FDC658APTR-ND
Price: 0.79994 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDC658AP
DigiKey-Teilenr.	FDC658APTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDC658APCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDC658APDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDC658AP
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 4 A (Ta) 1,6W (Ta) Oberflächenmontage SuperSOT™-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FDC658AP Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8.1 nC @ 5 V
Serie PowerTrench®	Vgs (Max.) ±25V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 470 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1,6W (Ta)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten SuperSOT™-6
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4 A (Ta)	Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer FDC658
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 50mOhm bei 4A, 10V