FDMA410NZT onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDMA410NZT
DigiKey-Teilenr.	FDMA410NZTOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDMA410NZTOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDMA410NZTOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDMA410NZT
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 9,5 A (Ta) 2,4W (Ta) Oberflächenmontage 6-UDFN (2,05x2,05)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FDMA410NZT Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14 nC @ 4.5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±8V
Status der Komponente Obsolet	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1310 pF @ 10 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2,4W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9,5 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten 6-UDFN (2,05x2,05)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4,5V	Gehäuse / Hülle 6-UDFN mit freiliegendem Pad
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 23mOhm bei 9,5A, 4,5V	Basis-Produktnummer FDMA410

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 24’697

Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt und ist daher nach Abverkauf der Lagerbestände nicht mehr lieferbar. Alternative Verpackungsarten anzeigen.

Menge

Alle Preise in CHF

Gurtabschnitt (CT)