FQP3N60C onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

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STMicroelectronics

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FQP3N60C
DigiKey-Teilenr.	FQP3N60CFS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQP3N60C
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 3 A (Tc) 75W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 565 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FQP3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,4Ohm bei 1,5A, 10V

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Ersatzartikel (1)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
STP4NK60Z	STMicroelectronics	0	497-3191-5-ND	Fr. 2.04000	Ähnlich

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