NTD110N02RT4G onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

NTD110N02RT4G ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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STMicroelectronics

Vorrätig: 4’003

Stückpreis : Fr. 0.59000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTD110N02RT4G
DigiKey-Teilenr.	NTD110N02RT4GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTD110N02RT4G
Beschreibung	MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 24 V 12,5 A (Ta), 110 A (Tc) 1,5W (Ta), 110W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	24 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12,5 A (Ta), 110 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,6mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	28 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3440 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,5W (Ta), 110W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DPAK
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	NTD110