Name: NVMFS5C645NT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS5C645NT1GTR-ND
Price: 2.23767 CHF
Availability: OutOfStock

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NVMFS5C645NT1G

onsemi

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Parametrisches Äquivalent

NVMFS5C645NWFT1G

onsemi

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NVMFS5C645NT1G
DigiKey-Teilenr.	488-NVMFS5C645NT1GTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NVMFS5C645NT1GCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NVMFS5C645NT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMFS5C645NT1G
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 92A 5DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 20A (Ta), 92A (Tc) 3,7W (Ta), 79W (Tc) Oberflächenmontage 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20A (Ta), 92A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,6mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20.4 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1500 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,7W (Ta), 79W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NVMFS5

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