Name: NVXK2TR80WDT
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVXK2TR80WDT-ND
Price: 40.51588 CHF
Availability: InStock

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NVXK2TR80WDT
DigiKey-Teilenr.	5556-NVXK2TR80WDT-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVXK2TR80WDT
Beschreibung	MOSFET 4N-CH 1200V 20A APM32
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 20 A (Tc) 82W (Tc) Durchkontaktierung APM32
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	4 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	116mOhm bei 20A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,3V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	56nC bei 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1154pF bei 800V
Leistung - Max.	82W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	32-PowerDIP-Modul (1,311", 33,30mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten	APM32

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