MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 105 A (Tc) 272W (Tj) Chassisbefestigung
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NXH010P120M3F1PG

DigiKey-Teilenr.
5556-NXH010P120M3F1PG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NXH010P120M3F1PG
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 105 A (Tc) 272W (Tj) Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,4V bei 45mA
Hersteller
onsemi
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
314nC bei 18V
Verpackung
Tablett
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6451pF bei 800V
Status der Komponente
Aktiv
Leistung - Max.
272W (Tj)
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Gehäuse / Hülle
Modul
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
105 A (Tc)
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
14,5mOhm bei 90A, 18V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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