NTTFS6H888NTAG onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTTFS6H888NTAG
DigiKey-Teilenr.	488-NTTFS6H888NTAGTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NTTFS6H888NTAGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NTTFS6H888NTAGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTTFS6H888NTAG
Beschreibung	T8 80V U8FL
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 4,7A (Ta), 12A (Tc) 2,9W (Ta), 18W (Tc) Oberflächenmontage 8-WDFN (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,7A (Ta), 12A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	55mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 15µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	4.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	220 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,9W (Ta), 18W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-WDFN (3,3x3,3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer	NTTFS6

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