NGTB40N65IHL2WG onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

NGTB40N65IHL2WG ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NGTB40N65IHL2WG
DigiKey-Teilenr.	NGTB40N65IHL2WGOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NGTB40N65IHL2WG
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 80 A 300 W Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NGTB40N65IHL2WG Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	80 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	160 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,2V bei 15V, 40A
Leistung - Max.	300 W
Schaltenergie	360µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	135 nC
Td (on/off) bei 25°C	-/140ns
Testbedingung	400V, 40A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	465 ns
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Basis-Produktnummer	NGTB40