Name: TPN8R903NL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN8R903NLLQTR-ND
Price: 1.01614 CHF
Availability: InStock

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TPN8R903NL,LQ
DigiKey-Teilenr.	TPN8R903NLLQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TPN8R903NLLQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TPN8R903NLLQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPN8R903NL,LQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 20 A (Tc) 700mW (Ta), 22W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TPN8R903NL,LQ Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 100µA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 9.8 nC @ 4.5 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 820 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 700mW (Ta), 22W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 20 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer TPN8R903
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,9mOhm bei 10A, 10V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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TPN8R903NL,LQ