TO-263AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF710S

Digi-Key-Teilenr.
IRF710S-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
IRF710S
Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 400 V 2 A (Tc) 3,1W (Ta), 36W (Tc) Oberflächenmontage D²PAK (TO-263)
Kundenreferenz
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Auswählen
Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Gehäuse
Stange
Produktstatus
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
400 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3,6Ohm bei 1,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
170 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,1W (Ta), 36W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
D²PAK (TO-263)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IRF710
Dokumente und Medien
RessourcentypLink
Videodatei
MOSFET Technologies for Power Conversion
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusNicht RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Zusätzliche Ressourcen
EigenschaftBeschreibung
Weitere Namen*IRF710S
Standardverpackung50