Name: SI4435DDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4435DDY-T1-E3TR-ND
Price: 0.9729 CHF
Availability: InStock

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SI4435DDY-T1-E3
DigiKey-Teilenr.	SI4435DDY-T1-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4435DDY-T1-E3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4435DDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4435DDY-T1-E3
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 11,4 A (Tc) 2,5W (Ta), 5W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11,4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	24mOhm bei 9,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1350 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer	SI4435

Fragen und Antworten zum Produkt

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