Name: SI7116BDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI7116BDN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.15667 CHF
Availability: InStock

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SI7116BDN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SI7116BDN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SI7116BDN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SI7116BDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7116BDN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 18,4A (Ta), 65A (Tc) 5W (Ta), 62,5W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	18,4A (Ta), 65A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,4mOhm bis 16A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1915 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	5W (Ta), 62,5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 1212-8
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 1212-8
Basis-Produktnummer	SI7116