Name: SI8816EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8816EDB-T2-E1TR-ND
Price: 0.58374 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI8816EDB-T2-E1
DigiKey-Teilenr.	SI8816EDB-T2-E1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI8816EDB-T2-E1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI8816EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI8816EDB-T2-E1
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 1,5 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage 4-Microfoot
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±12V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 195 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 4-Microfoot
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,5 A (Ta)	Gehäuse / Hülle 4-XFBGA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 10V	Basis-Produktnummer SI8816
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 109mOhm bei 1A, 10V

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 43’023

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in CHF

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von Fr. 7.00 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)