Name: SI8819EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8819EDB-T2-E1TR-ND
Price: 0.60536 CHF
Availability: OutOfStock

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SI8819EDB-T2-E1
DigiKey-Teilenr.	SI8819EDB-T2-E1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI8819EDB-T2-E1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI8819EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI8819EDB-T2-E1
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 12 V 2,9 A (Ta) 900mW (Ta) Oberflächenmontage
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 900mV bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 17 nC @ 8 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±8V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 650 pF @ 6 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 900mW (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,9 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten 4-MICRO FOOT® (0.80x0.80)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 3,7V	Gehäuse / Hülle 4-XFBGA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 80mOhm bei 1,5A, 3,7V	Basis-Produktnummer SI8819

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