Parametrisches Äquivalent
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Ähnlich
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SIHB24N65E-E3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHB24N65E-E3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB24N65E-E3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 122 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2740 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 250W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK) |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 145mOhm bei 12A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 1’416 | 742-SIHB24N65E-GE3-ND | Fr. 5.52000 | Parametrisches Äquivalent |
| SIHB24N65ET1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB24N65ET1-GE3-ND | Fr. 2.55528 | Parametrisches Äquivalent |
| SIHB24N65ET5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB24N65ET5-GE3-ND | Fr. 2.55528 | Parametrisches Äquivalent |
| AOB25S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 800 | 785-1539-1-ND | Fr. 4.40000 | Ähnlich |
| AOB27S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 9’876 | 785-1248-1-ND | Fr. 4.42000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 2.55528 | Fr. 2’555.28 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.55528 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.76226 |







