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Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
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Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 240
Stückpreis : Fr. 9.54000
Datenblatt

Ähnlich


Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 30
Stückpreis : Fr. 6.76000
Datenblatt

Ähnlich


Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 295
Stückpreis : Fr. 9.55000
Datenblatt

Ähnlich


Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 265
Stückpreis : Fr. 8.42000
Datenblatt
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SIHG33N60E-E3

DigiKey-Teilenr.
SIHG33N60E-E3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHG33N60E-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
150 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3508 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
278W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
99mOhm bei 16,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SIHG33N60E-GE3Vishay Siliconix0SIHG33N60E-GE3-NDFr. 6.03000Parametrisches Äquivalent
FCH099N60Eonsemi0FCH099N60E-NDFr. 0.00000Ähnlich
FCH25N60Nonsemi0FCH25N60NOS-NDFr. 0.00000Ähnlich
SPW35N60C3FKSA1Infineon Technologies240SPW35N60C3FKSA1-NDFr. 9.54000Ähnlich
TK28N65W,S1FToshiba Semiconductor and Storage30TK28N65WS1F-NDFr. 6.76000Ähnlich
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