N-Kanal 600 V 40 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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N-Kanal 600 V 40 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB

SIHP065N60E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHP065N60E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP065N60E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 40 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHP065N60E-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
98 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2700 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
65mOhm bei 16A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 6.96000Fr. 6.96
50Fr. 3.79720Fr. 189.86
100Fr. 3.49190Fr. 349.19
500Fr. 2.95764Fr. 1’478.82
1’000Fr. 2.82874Fr. 2’828.74
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