Name: SIRA18ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA18ADP-T1-GE3TR-ND
Price: 0.82156 CHF
Availability: InStock

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SIRA18ADP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIRA18ADP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIRA18ADP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIRA18ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIRA18ADP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 30,6 A (Tc) 14,7W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIRA18ADP-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 21.5 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +20V, -16V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1000 pF @ 15 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 14,7W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30,6 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,7mOhm bei 10A, 10V	Basis-Produktnummer SIRA18

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