Name: SIRB40DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRB40DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.11876 CHF
Availability: InStock

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SIRB40DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIRB40DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIRB40DP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIRB40DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIRB40DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 40V 40 A (Tc) 46,2W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIRB40DP-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 2,4V bei 250µA
Hersteller Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 45nC bei 4,5V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4290pF bei 20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Leistung - Max. 46,2W
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8 Dual
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8 Dual
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 40 A (Tc)	Basis-Produktnummer SIRB40
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,25mOhm bei 10A, 10V