Name: SISS32ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS32ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.04309 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SISS32ADN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SISS32ADN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SISS32ADN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SISS32ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISS32ADN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 17,4A (Ta), 63A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8S
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,6V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 36 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1520 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65,7W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8S
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 17,4A (Ta), 63A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8S
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Basis-Produktnummer SISS32
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7,3mOhm bei 10A, 10V